背面供电

一种先进的芯片架构，将供电线路从硅晶圆正面移至背面，以提高效率。

背面供电（BSPD）是先进半导体制造领域的一项重大架构转变。传统上，电源线和信号线都密集布置在芯片正面，导致拥塞、电阻和电压降。BSPD将供电网络移至硅晶圆另一侧，并通过垂直通孔将其与晶体管连接。 对投资者而言，这一转变代表着重要的技术拐点。实施背面供电需要全新的制造步骤，包括晶圆键合、极限减薄和高深宽比刻蚀。这一转变显著扩大了专业半导体设备制造商的可服务市场。 投资者将企业在背面供电应用中的设备中标情况，视为衡量其在下一代（2nm及以下）晶圆代工和逻辑制程节点中市场份额主导地位的先行指标。BSPD设备的高采用率表明领先芯片制造商资本开支强劲，而采用延迟则可能反映良率问题或设计瓶颈。

一家采用背面供电技术的半导体代工厂将其芯片上的电压降从 10% 降低到 2%。如果芯片以 1.0V 运行，电压降将从 0.10V 降至 0.02V，使芯片能够以 0.92V 而非 1.0V 这一更低、更高效的工作电压运行。