干式光刻胶

一种用于极紫外（EUV）光刻的先进干法光刻胶技术。

干式光刻胶是一种先进材料与工艺技术，用于极紫外（EUV）光刻中制造下一代微芯片。传统光刻依赖湿式光刻胶，即把液态化学品旋涂到硅晶圆上，并使用液体溶剂进行显影。相比之下，干式光刻胶技术采用气相沉积，在晶圆上施加高度均匀、超薄的干式光敏层，随后通过干法刻蚀化学进行显影。 该技术旨在克服湿式化学品在极小几何尺寸下的物理限制，通常适用于3纳米（3nm）及以下节点。由于液体显影化学品会产生毛细力，可能导致微观电路图案坍塌或变形，干法工艺使芯片制造商能够印制更清晰、更精确的电路特征，并显著降低缺陷率。 对半导体投资者而言，干式光刻胶代表着晶圆制造设备（WFE）市场中的一个重大技术拐点。率先开发并授权干式光刻胶沉积与干法刻蚀显影工具的公司，有望获得高利润率的市场份额。投资者会关注主要逻辑和存储晶圆代工厂的采用率，因为成功整合会直接转化为先进制程芯片制造商更高的制造良率和更低的单片晶圆成本。

一家每月加工100,000片晶圆、使用湿式光刻胶的半导体晶圆代工厂，其图案塌陷缺陷率为5%，因此可用晶圆为95,000片。通过改用干式光刻胶技术，缺陷率降至1%，可用产量提高至99,000片晶圆。这样，在相同原材料投入下，每月可额外获得4,000片高价值晶圆。