저열팽창(CTE)

극한의 온도 변화에서 치수 변형을 방지하는 낮은 열팽창 계수를 나타내는 재료 특성입니다.

Low-CTE(열팽창계수)는 온도 변동에 직면했을 때 물질의 치수 변화가 최소화되는 재료 특성을 의미합니다. 고성능 전자제품에서는 넓은 온도 범위 전반에 걸쳐 물리적 안정성을 유지하는 것이 중요합니다. 서로 다른 재료가 함께 적층될 때에는 물리적 손상을 방지하기 위해 호환되는 비율로 팽창 및 수축해야 합니다. 반도체 패키징 및 인쇄회로기판(PCB) 제조에서는 Low-CTE를 지닌 재료가 높은 가치를 지닙니다. 기판이 그 위에 장착된 실리콘 칩보다 훨씬 빠르게 팽창하면, 그에 따른 열응력이 휨, 균열 또는 접합부 고장을 일으킬 수 있습니다. 따라서 첨단 패키징 기술은 극심한 열 부하 속에서 구조적 무결성과 장기적 신뢰성을 보장하기 위해 Low-CTE 소재에 의존합니다. 첨단 소재, 특수 화학물질, 반도체 공급망 분야의 투자자들은 Low-CTE 역량을 핵심적인 기술 차별화 요소로 주시합니다. Low-CTE 특성을 지닌 기판, 유리 섬유 또는 수지를 제조할 수 있는 기업들은 종종 더 높은 마진을 확보하고, 인공지능 하드웨어, 고성능 컴퓨팅, 자동차 전자제품과 같은 고성장 최종 시장에서 설계 채택을 확보합니다.

반도체 패키징 기판의 CTE(열팽창계수)는 3ppm/°C입니다. 10밀리미터 부품이 100°C의 온도 상승을 겪을 경우, 팽창은 다음과 같이 계산됩니다: 10mm 100°C (3 / 1,000,000) = 0.003mm. 이처럼 미미한 팽창은 약 2.6ppm/°C의 유사한 CTE를 가진 실리콘 칩에 대한 열응력을 방지합니다.