플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD)

플라즈마를 이용하여 기체 상태에서 고체 상태로 기판 위에 박막을 증착하는 공정입니다.

플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은 이산화규소 또는 질화규소 같은 재료의 박막을 실리콘 웨이퍼 위에 증착하는 데 사용되는 핵심 반도체 제조 공정입니다. 화학 반응을 일으키기 위해 극도로 높은 열에너지가 필요한 표준 화학 기상 증착과 달리, PECVD는 RF로 생성된 플라즈마(이온화된 가스)를 사용해 필요한 반응 에너지를 공급합니다. 따라서 증착 공정이 일반적으로 200°C에서 400°C 사이의 훨씬 낮은 온도에서 이루어질 수 있습니다. 낮은 공정 온도는 현대 칩 제조에서 매우 중요합니다. 높은 열은 웨이퍼에 이미 제작된 미세 구조와 금속 배선을 녹이거나 휘게 하거나 확산시킬 수 있기 때문입니다. 투자자 입장에서 PECVD는 반도체 제조 공장(fab)에서 대량 생산을 뒷받침하는 핵심 주력 기술입니다. 이 시장을 지배하는 장비 제조사들은 글로벌 칩 생산 능력이 확장됨에 따라 장비와 교체 부품에 대한 꾸준한 반복 수요를 누립니다. 반도체 장비 기업을 분석할 때 투자자들은 PECVD 장비 출하량, 시장 점유율, 매출총이익률을 주시합니다. 이러한 장비에 대한 높은 수요는 일반적으로 글로벌 파운드리가 생산 능력을 확장하거나 더 첨단 노드로 전환하고 있음을 시사합니다. 그러나 PECVD는 경쟁이 매우 치열한 부문이므로 투자자들은 경쟁 장비 제조사들의 가격 압박을 주의 깊게 살펴야 합니다. 이는 업황 상승기에서도 마진을 압박할 수 있습니다.

반도체 장비 제조업체가 파운드리에 PECVD 시스템을 $6,000,000에 판매합니다. 이 시스템을 제작하는 데 드는 매출원가는 $3,300,000입니다. 이 장비 판매의 매출총이익률은 다음과 같이 계산됩니다: ($6,000,000 - $3,300,000) / $6,000,000 = 45%.