PECVD（等离子体增强化学气相沉积）

一种利用等离子体在基底上将薄膜从气态沉积为固态的工艺。

等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是一项关键的半导体制造工艺，用于将二氧化硅或氮化硅等材料薄膜沉积到硅晶圆上。与需要极高热能来触发化学反应的标准化学气相沉积不同，PECVD 使用射频产生的等离子体（电离气体）来提供所需的反应能量。这使沉积工艺能够在低得多的温度下进行，通常在 200°C 至 400°C 之间。 较低的工艺温度在现代芯片制造中至关重要，因为高温可能使晶圆上先前制造的微观结构和金属互连熔化、翘曲或扩散。对投资者而言，PECVD 是半导体晶圆厂中高量产的主力技术。随着全球芯片产能扩张，主导该市场的设备制造商享有对设备和替换零件的稳定、经常性需求。 在分析半导体设备公司时，投资者会关注 PECVD 设备出货量、市场份额和毛利率。对这些设备的高需求通常表明全球代工厂正在扩产或向更先进的制程节点过渡。然而，由于 PECVD 是一个竞争高度激烈的细分领域，投资者必须警惕竞争对手设备制造商带来的定价压力，这种压力即使在行业上行周期也可能压缩利润率。

一家半导体设备制造商以 $6,000,000 向一家晶圆代工厂出售一套 PECVD 系统。制造该系统的销货成本为 $3,300,000。该设备销售的毛利率计算如下：（$6,000,000 - $3,300,000）/ $6,000,000 = 45%。