四层单元 NAND

一种每单元存储四位数据的闪存技术，以较低成本提供高存储密度。

四层单元（QLC）NAND 是一种闪存架构，旨在最大化单芯片存储容量。通过在每个存储单元中存储四位数据，QLC 相比 TLC（三层单元）或 MLC（多层单元）等较旧技术，具有显著更高的密度和更低的每 GB 成本。该技术依赖对每个单元内电压水平的精细调节来表示 16 种不同状态，这需要高度精密的制造工艺和先进的控制器算法。 对于跟踪半导体、硬件和数据中心板块的投资者而言，QLC NAND 是关键的增长驱动力。由于人工智能工作负载需要高效存储和访问海量数据集，高密度 QLC 硬盘正在企业环境中迅速取代传统硬盘驱动器（HDD）。引领向高层数 QLC 技术转型的公司，往往在存储需求上行周期中获取更高利润率。 尽管 QLC 具备卓越的密度和成本优势，但与 TLC 相比，它在写入寿命和性能方面存在取舍。由于写入数据需要精确的电压管理，存储单元会更快磨损。投资者必须关注存储制造商如何通过软件控制器缓解这些限制，以及公司的产品组合是偏向高利润率的企业市场，还是低利润率的消费电子领域。

一家半导体制造商生产 3D NAND 晶圆。采用 TLC 技术（每个单元 3 比特）时，单片晶圆可产出 1,000 GB 的存储容量。通过将制造工艺转为 QLC 技术（每个单元 4 比特），在相同物理尺寸下，单片晶圆的存储容量增加 33%，达到 1,333 GB，从而降低制造商的每 GB 生产成本。